本发明实施例提供一种线不良的测试方法以及液晶显示器,涉及液晶显示器技术,为提高对TFT-LCD产品进行不良性测试的准确性而发明。一种线不良的测试方法,包括:确定待测试数据线以及与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的基准测试数据线;将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路;利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常。本发明实施例主要用于对TFT-LCD产品的不良性测试中。
1.一种线不良的测试方法,其特征在于,包括:xa0确定待测试数据线以及与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的基准测试数据线;xa0将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路;xa0利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常;xa0其中,所述确定与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的基准测试数据线包括:xa0将与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的第一根或者最后一根数据线作为所述基准测试数据线。xa0
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路包括:xa0将所述待测试数据线和所述基准测试数据线焊接到测试金属线上,通过所述测试金属线将所述待测试数据线和所述基准测试数据线进行连接;xa0在所述覆晶薄膜上切断所述基准测试数据线与芯片的连接,形成所述测试回路。xa0
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路还包括:xa0在所述测试金属线上,切断所述待测试数据线和所述基准测试数据线与所述测试金属线的连接。xa0
4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述测试金属线为与栅极层同层设置的测试金属线或与铟锡氧化物层同层设置的测试金属线。xa0
5.根据权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述确定所述待测试数据线的信号是否正常包括:xa0将所述待测试数据线的信号波形与数据线信号正常时的参考波形进行比较,如果待测试数据线的信号波形相较于所述参考波形产生了下拉信号,确定所述待测试数据线的信号不正常,否则确定所述待测试数据线的信号正常。xa0
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,当确定所述待测试数据线的xa0信号不正常时,利用所述待测试数据线的信号的波形形成一个曲线区域,利用所述参考波形形成一个矩形区域,其中所述曲线区域的一条直线边界的长度等于所述矩形区域的高度,所述曲线区域的一条直线边界的长度等于所述矩形区域的宽度;xa0利用所述曲线区域的面积与所述矩形区域的面积的比值确定所述待测试数据线的参数。xa0
7.根据权利要求1-3任一所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:xa0测试完成后,切断所述待测试数据线和所述基准测试数据线的连接。xa0
8.一种液晶显示器,其特征在于,包括:印制电路板,液晶面板,覆晶薄膜;所述印制电路板上设置有测试点;所述覆晶薄膜,用于连接所述印制电路板和所述液晶面板;所述液晶面板上设置有多条数据线;xa0将所述液晶面板上的待测试数据线和所述液晶面板上与所述待测试数据线位于同一覆晶薄膜下的基准测试数据线连接形成测试回路,利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常,其中所述基准测试数据线为与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的第一根或者最后一根数据线。xa0
9.根据权利要求8所述的液晶显示器,其特征在于,所述液晶面板上还设置有测试金属线,所述测试金属线上设置有焊接区域,所述覆晶薄膜上设置有芯片;xa0将所述待测试数据线和所述基准测试数据线焊接到测试金属线上的焊接区域,通过所述测试金属线将所述待测试数据线和所述基准测试数据线进行连接,并在所述覆晶薄膜上切断所述基准测试数据线与芯片的连接,形成所述测试回路。xa0
10.根据权利要求8所述的液晶显示器,其特征在于,在所述测试金属线上还设置有切割区域,用于指示在测试完成后,切断所述待测试数据线和所述基准测试数据线与所述测试金属线的连接。xa0
11.根据权利要求9或10所述的液晶显示器,其特征在于,所述测试金属线为与栅极层同层设置的测试金属线或与铟锡氧化物层同层设置的测试金属xa0线。xa0技术领域
本发明涉及液晶显示器技术,尤其涉及一种线不良(linexa0defect)的测试方法以及液晶显示器。
背景技术
在TFT-LCD(Thinxa0Filmxa0Transistorxa0Liquidxa0Crystalxa0Display,薄膜晶体管液晶显示器)上,通常包括PCB板(Printedxa0Circuitxa0Board,印制电路板)、COF(Chipxa0Onxa0Film,覆晶薄膜)以及液晶面板等,其中COF主要是用于连接PCB板和液晶面板。液晶面板的阵列基板上会形成多条纵向的数据线和横向的栅线,每条数据线和每条栅线分别交叉,定义出一个个像素单元,这就是单位显示单元。PCB板传输的视频信号通过COF上的芯片驱动数据线进行显示,所有的像素单元组合在一起,以展示我们所需的画面。在TFT-LCD产品的生产过程中,线不良及块(Block)类不良对TFT-LCD产品的品质有很大的影响。现有技术中,一般是采用测量线电阻的方式进行不良性分析,其具体做法是将面板(Panel)进行分解(Decap),利用测试设备的探针直接扎在待测数据线的两端。但是,这种方法在进行不良分析时,需要破坏面板,而且利用测试设备的探针寻找待测数据线,用探针接触待测试数据线并进行测试的过程比较复杂,使得在进行不良分析时对待测数据线的定位不是很准确,从而影响了不良分析的结果的准确性。
发明内容
本发明实施例提供一种线不良的测试方法,以提高对TFT-LCD产品进行不良性测试的准确性。本发明实施例采用如下技术方案:一种线不良的测试方法,包括:确定待测试数据线以及与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的基准测试数据线;将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路;利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常。一种液晶显示器,包括:印制电路板板,液晶面板,覆晶薄膜;所述印制电路板上设置有测试点;所述覆晶薄膜,用于连接所述印制电路板和所述液晶面板;所述液晶面板上设置有多条数据线;将所述液晶面板上的待测试数据线和所述液晶面板上与所述待测试数据线位于同一覆晶薄膜下的基准测试数据线连接形成测试回路,利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常。本发明实施例提供的线不良的测试方法以及液晶显示器,将确定的待测试数据线以及与所述待测试数据线位于同一覆晶薄膜下的基准测试数据线连接形成测试回路,而后利用PCB板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常,从而判断所述待测试数据线是否有不良。由此可以看出,在本发明实施例中,无需损坏面板即可精确的定位待测数据线,并通过PCB上与基准测试数据线对应的测试点对由待测试数据线以及与所述待测试数据线构成的测试回路进行测试,因此,利用本发明实施例的方法以及液晶显示器避免了现有技术中由于定位待测试数据线不准确而引起的不良性结果分析不准确的缺陷,提高了对TFT-LCD产品进行不良性测试的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例一线不良的测试方法的流程图;图2(a)为本发明实施例一线不良的测试方法的具体示意图;图2(b)为图2(a)的A-A界面示意图;图3为本发明实施例一中COF及其对应的数据线的划分示意图;图4所示为本发明实施例一中形成的测试回路中电流流向示意图;图5为测试结果的波形示意图;图6为本发明实施例一中进行再加工操作的示意图;图7为本发明实施例二液晶显示器的示意图。附图标记:1:TFT阵列基板;2:栅极层的dummy金属线;4:基准测试数据线;7:芯片;8:PCB板上的测试点;9:PCB板;10:激光切割处;11:待测数据线12和基准测试数据线4在金属线2上的连接处;12:待测数据线;14:G-SiNx(氮化硅)绝缘层;15:PVX(passivation,钝化层)绝缘层;16:COF上所述基准测试数据线4与芯片7的连接的切换处;17:COF上的数据线;18:面板上lead区(外围引线区)数据线;19:COF上的驱动IC(集成驱动电路);20:Dummyxa0Gate金属层;91:液晶面板;92:覆晶薄膜;121:待测试数据线12和基准测试数据线4的切断处。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。如图1所示,本发明实施例一的线不良的测试方法,包括:步骤11、确定待测试数据线以及确定与所述待测试数据线位于液晶面板上同一覆晶薄膜下的基准测试数据线。图2(a)所示为本发明实施例线不良的测试方法的具体示意图。结合图2(a)所示,在本发明实施例中,首先,利用电子显微镜找到TFT-LCD产品的面板上需要测试区域中的待测数据线,并对其进行标记,如图2(a)中的待测数据线12。然后,利用电子显微镜找到与所述待测数据线12属于同一个COF下的基准测试数据线。结合图3,以19’w为例,Date向共6个COF,4320根数据线,那么将4320除以6,得到每个COF包含的数据线根数为720根。其中,第1-第720根数据线由第一个COF控制,第721-第1440根数据线由第二个COF控制,以此类推。再如图2(a)所示,假设与所述待测数据线12所属的COF为从左数第5个COF,因此,将该COF下的第一根或者最后一根数据线作为基准测试数据线。至于是选择第一根还是最后一根,则要根据待测数据线与第一根或者最后一根数据线的距离远近来确定,优先选择与所述待测数据线距离较近的那根数据线,例如,在图2(a)中,选择该COF下最后一根数据线作为基准测试数据线4。步骤12、将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接形成测试回路。在此步骤中,具体的是将所述待测试数据线和所述基准测试数据线焊接到测试金属线上,通过所述测试金属线将所述待测试数据线和所述基准测试数据线连接,而后在所述覆晶薄膜上,切断所述基准测试数据线与芯片的连接,形成所述测试回路。其中,在具体应用中,所述测试金属线可以为与栅极(Gate)层同层设置的测试金属线,或者所述测试金属线可以为与铟锡氧化物(Indiumxa0Tinxa0Oxides,ITO)层同层设置的测试金属线,还可以为与数据线层不同层设置的其他测试金属线。在此实施例中,以栅极Dummy金属线作为与栅极(Gate)层同层设置的测试金属线为例进行详细描述。当所述测试金属线为与ITO层同层设置的测试金属线时,其原理相同。还是如图2(a)所示,首先在维修设备上找到需要激光切割和焊接的区域,然后将待测数据线12和基准测试数据线4一并在图中所示的11处焊接到面板最下方的栅极层的额外的金属线2上,并将待测试数据线12和所述基准测试数据线4通过额外的金属线2进行连接。此外,为保证线电阻和获得的电流波形的准确性,在此,还可在所述额外的金属线2上进行激光切割,如图2(a)所示,在额外的金属线2的切割区域10处进行切割,以切断与所述额外的金属线2的连接,以保证待测试数据线12和基准测试数据线4的连接是独立的,不受其他数据线的影响,也进一步提高测试结果的准确性。最后,如图2(a)所示,在所述COF上的16处再切断所述基准测试数据线4与芯片7的连接。至此,待测数据线和基准测试数据线就形成了一个测试回路。图2(b)为图2(a)的A-A界面示意图。在图2(b)中,1用于表示TFT阵列基板,2表示栅极Dummy金属线,14表示G-SiNx绝缘层,15表示PVX绝缘层,11表示Data金属层,即待测数据线12和基准测试数据线4在金属线2上的连接处,10表示激光切割处。步骤13、利用PCB板上与所述基准测试数据线对应的测试点对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常。从而判断所述待测试数据线是否有不良。PCB板上的测试点用于测试面板上的数据线的信号情况。在PCB板上,每个COF上端各对应有2个测试点,分别对应该COF区域中的第一根和最后一根数据线。以6个COF为例,它可测量2*6=12根数据线的相关情况。因此,结合图2所示,在本发明实施例中,可利用万用表或者示波器的探头接触PCB板9上与基准测试数据线4相对应的测试点8,以对待测数据线12和基准测试数据线4构成的测试回路进行测试。对于形成的测试回路,如图4所示,其电流的方向是经COF上的驱动IC19、COF上的数据线17、面板上lead区数据线18、待测试数据线12、Dummyxa0Gate金属层20、基准测试数据线4、面板上lead区数据线18、COF上的数据线17、最后流回PCB上的测试点8。在利用万用表或者示波器的探头对测试点8进行测试的时候,可通过示波器获得待测试数据线的波形。如图5所示为测试结果的示意图,通常情况下,如果该待测试数据线正常,获得的参考波形是图中实线所表示的方波波形。但是,如果待测试数据线异常,将会产生一个下拉信号,产生的波形如图5中的虚线所示。如果该待测试数据线的电阻值越大,该下拉信号的下拉程度越大。无论待测试信号的波形如何变化,它的频率应该与所述参考波形的频率相等。当待测试数据线信号的不正常时,可利用待测试数据线的信号形成的波形区域的面积与参考波形区域的面积比来确定待测数据线的电阻等值。通常情况下,当待测试数据线的信号不正常时,它的信号波形一般呈曲线,例如,如图5所示,图中所示的待测试数据线的信号波形呈弧形。那么,可利用所述待测试数据线的信号的波形形成一个曲线区域,利用数据线信号正常时的参考波形形成一个矩形区域,进而利用所述曲线区域的面积与所述矩形区域的面积的比值确定所述待测试数据线的参数,如电阻等。在如图5所示,可利用曲线区域ACD的面积与矩形区域ABCD的面积的比值来确定待测数据线的电阻的大小等参数,其中,该曲线区域的一条直线边界AD的长度等于矩形区域的高度,另一条直线边界CD的长度等于矩形区域的宽度。此外,在对待测试数据线进行测试后,如图6所示,本发明实施例的方法还可通过rework(再加工)的方式进行维修。如果经过测试,发现数据线没有不良,即可再加工继续使用。具体的做法是利用现有的激光维修设备在待测试数据线12和基准测试数据线4的末尾的地方(121处)切断,也即切断由待测试数据线12和基准测试数据线4形成的测试回路,不影响该面板后续的使用。如果经过测试,发现数据线有不良,那么即按照现有的数据线维修方式进行维修即可。由此可以看出,在本发明实施例中,无需损坏面板即可精确的定位待测数据线,并通过PCB板上与基准测试数据线对应的测试点对由待测试数据线以及与所述待测试数据线构成的测试回路进行测试,因此,利用本发明实施例的方法避免了现有技术中由于定位待测试数据线不准确而引起的不良性结果分析不准确的缺陷,提高了对TFT-LCD产品进行不良性测试的准确性。同时,由于无需对面板进行破坏,因此,本发明实施例的方法相较于现有技术操作简单。此外,本发明实施例还提供了一种液晶显示器,如图7所示,包括:印制电路板9,液晶面板91,覆晶薄膜92;所述印制电路板上设置有测试点8(图中只示出一个测试点);所述覆晶薄膜92,用于连接所述印制电路板9和所述液晶面板91;所述液晶面板上设置有多条数据线。其中,将所述液晶面板上的待测试数据线12和所述液晶面板上与所述待测试数据线位于同一覆晶薄膜下的基准测试数据线4连接形成测试回路,利用印制电路板上与所述基准测试数据线对应的测试点8对所述测试回路进行测试,以确定所述待测试数据线的信号是否正常,从而判断所述待测试数据线是否有不良。同时,所述液晶面板上还设置有测试金属线,所述测试金属线上设置有焊接区域,所述覆晶薄膜上设置有芯片。将所述待测试数据线和所述基准测试数据线焊接到测试金属线上的焊接区域,通过所述测试金属线将所述待测试数据线和所述基准测试数据线进行连接,并在所述覆晶薄膜上切断所述基准测试数据线与芯片的连接,形成所述测试回路。此外,为了不影响该面板后续的使用,在所述测试金属线上还可还设置有切割区域,用于指示在测试完成后,切断所述待测试数据线和所述基准测试数据线与所述测试金属线的连接。与前述实施例描述的相同,在具体应用中,所述测试金属线可以为与栅极层同层设置的测试金属线,或者所述测试金属线可以为与ITO层同层设置的测试金属线。在此实施例中,以栅极Dummy金属线作为与Gate层同层设置的测试金属线为例进行详细描述。当所述测试金属线为与ITO层同层设置的测试金属线时,其原理相同。再如图7所示,所述额外的金属线2上设置有焊接区域11,所述覆晶薄膜上设置有芯片7。在形成测试回路时,将所述待测试数据线12和所述基准测试数据线4焊接到栅极层的额外的金属线2上的焊接区域11,通过所述额外的金属线2将所述待测试数据线23和所述基准测试数据线4进行连接,并在所述覆晶薄膜上切断所述基准测试数据线4与芯片7的连接,形成所述测试回路。此外,在所述额外的金属线2上还设置有切割区域10,用于切断所述待测试数据线和所述基准测试数据线与所述额外的金属线的连接。其中,本发明实施例二液晶显示器的工作原理可参照前述方法实施例的描述。在本发明实施例二中,无需损坏面板即可精确的定位待测数据线,并通过PCB板上与基准测试数据线对应的测试点对由待测试数据线以及与所述待测试数据线构成的测试回路进行测试,因此,利用本发明实施例二避免了现有技术中由于定位待测试数据线不准确而引起的不良性结果分析不准确的缺陷,提高了对TFT-LCD产品进行不良性测试的准确性。以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。